Предметом вивчення є оптичні, діелектричні і фотодіелектричні властивості кристалів ZnSe, які містять макроскопічні неоднорідності структури. Метою є дослідження великомаштабних неоднорідностей в кристалах ZnSe, що важливо з огляду на придатність їх застосування в техніці. Встановлено, що для кристалів ZnSe характерні великомаштабні неоднорідності досліджених властивостей. Відзначається тісний зв'язок між оптичними та електрофізичними властивостями, що, вірогідно, обумовлено взаємним впливом двовимірних і точкових дефектів на формування дефектної структури при зростанні і подальшому охолодженні кристала.